STD5200TR

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型號
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封裝
批號
價格
說明
操作

STD5200TR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
只做原裝正品歡迎洽談電話010-62...

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功能描述
DIODE SCHOTTKY 200V DPAK
制造商
smc diode solutions
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
二極管類型
肖特基
電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）
200V
電流 - 平均整流（Io）
-
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）
1.6V @ 5A
速度
快速恢復(fù) = 200mA（Io）
反向恢復(fù)時間（trr）
-
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
150μA @ 200V
不同?Vr，F(xiàn) 時的電容
-
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝
DPAK
工作溫度 - 結(jié)
-55°C ~ 150°C
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

STD5200TR 技術(shù)參數(shù)

STD5150TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 150V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.41V @ 5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD5100TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:120μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD50NH02LT4 功能描述:MOSFET N-CH 24V 50A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD50NH02L-1 功能描述:MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 STD50N03L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1434pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD5N52K3 STD5N52U STD5N60DM2 STD5N60M2 STD5N62K3 STD5N80K5 STD5N95K3 STD5N95K5 STD5NK40Z-1 STD5NK40ZT4 STD5NK50Z-1 STD5NK50ZT4 STD5NK52ZD STD5NK52ZD-1 STD5NK60ZT4 STD5NM50T4 STD5NM60-1 STD5NM60T4