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參數(shù)資料
| 型號： | S-80752 |
| 廠商： | Seiko Instruments Inc. |
| 英文描述： | 5.2 V±2.4% Adjustment-Free High-Precision Voltage Detector(檢測范圍5.2 V±2.4%，高精度電壓檢測器) |
| 中文描述： | 5.2 V的± 2.4％免調(diào)整高精度電壓檢測器（檢測范圍5.2 V的± 2.4％，高精度電壓檢測器） |
| 文件頁數(shù)： | 22/42頁 |
| 文件大小： | 324K |
| 代理商： | S-80752 |
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HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR
S-807 Series
Seiko Instruments Inc.
21
43. S-80750AL-EE-X, S-80750AN/AN-JE-X
S-80750SL-EE-X, S-80750SN-JE-X (Detection voltage : 4.880 to 5.120 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
4.880
-V
DET
×
0.02
1.0
0.23
5.000
-V
DET
×
0.05
1.0
0.50
5.120
-V
DET
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 6.0 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 3.6 V
V
DD
= 6.0 V
1.60
3.18
0.46
3.70
7.00
0.75
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.63
mV/
°
C
44. S-80751AL, S-80751AN/AN-JF-X
S-80751SL-EF-X, S-80751SN-JF-X (Detection voltage : 4.977 to 5.223 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
4.977
-V
DET
×
0.02
1.0
0.23
5.100
-V
DET
×
0.05
1.0
0.50
5.223
-V
DET
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 6.0 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 3.6 V
V
DD
= 6.0 V
1.60
3.18
0.46
3.70
7.00
0.75
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.64
mV/
°
C
45. S-80752AL-EG-T1, S-80752AN-JE-T1,
S-80752SL-EG-T1 (Detection voltage : 5.075 to 5.325 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
5.075
-V
DET
×
0.02
1.0
0.23
5.200
-V
DET
×
0.05
1.0
0.50
5.325
-V
DET
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 6.0 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 3.6 V
V
DD
= 6.0 V
1.60
3.18
0.46
3.70
7.00
0.75
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.65
mV/
°
C
-V
DET
Ta
-V
DET
Ta
-V
DET
Ta
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| S-80752AL-EG-T1 | 制造商:SII 制造商全稱:Seiko Instruments Inc 功能描述:HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR |
| S-80752AN-JG-T1 | 制造商:SII 制造商全稱:Seiko Instruments Inc 功能描述:HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR |
| S-80752SL-EG-T1 | 制造商:SII 制造商全稱:Seiko Instruments Inc 功能描述:HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR |
| S-80753AN | 制造商:SII 制造商全稱:Seiko Instruments Inc 功能描述:HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR |
| S-80755AL-EK-X | 制造商:SII 制造商全稱:Seiko Instruments Inc 功能描述:HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR |
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