參數(shù)資料
型號(hào)： S-80750
廠商： Seiko Instruments Inc.
英文描述： 5.0 V±2.4% Adjustment-Free High-Precision Voltage Detector(檢測(cè)范圍5.0 V±2.4%，高精度電壓檢測(cè)器)
中文描述： 5.0V的± 2.4％免調(diào)整高精度電壓檢測(cè)器（檢測(cè)范圍5.0V的± 2.4％，高精度電壓檢測(cè)器）
文件頁(yè)數(shù)： 20/42頁(yè)
文件大?。?/td> 324K
代理商： S-80750
HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR
S-807 Series
Seiko Instruments Inc.
19
37. S-80745AL/AL-A9-X, S-80745AN/AN-D9-X
S-80745SL-A9-X, S-80745SN-D9-X (Detection voltage : 4.392 to 4.608 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
4.392
-V
DET
×
0.02
1.0
0.23
4.50
-V
DET
×
0.05
1.0
0.50
4.608
-V
DET
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 6.0 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 3.6 V
V
DD
= 6.0 V
1.60
3.18
0.46
3.70
7.00
0.75
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.56
mV/
°
C
38. S-80745AH-B9-X (Detection voltage : 4.392 to 4.608 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
4.392
-V
DET
×
0.02
1.0
0.03
4.500
-V
DET
×
0.05
1.0
0.09
4.608
-V
DET
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 6.0 V
μ
A
V
mA
2
1
4
Pch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 6.0 V
0.15
4.73
0.30
9.60
Nch
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
3
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.56
mV/
°
C
39. S-80746AL/AL-EA-X, S-80746AN-JA-X (Detection voltage : 4.489 to 4.711 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
4.489
-V
DET
×
0.02
1.0
0.23
4.600
-V
DET
×
0.05
1.0
0.50
4.711
-V
DET
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 6.0 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 3.6 V
V
DD
= 6.0 V
1.60
3.18
0.46
3.70
7.00
0.75
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.58
mV/
°
C
-V
DET
Ta
-V
DET
Ta
-V
DET
Ta
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