參數(shù)資料
型號(hào)： S-80737
廠商： Seiko Instruments Inc.
英文描述： 3.7 V±2.4% Adjustment-Free High-Precision Voltage Detector(檢測范圍3.7V±2.4%，高精度電壓檢測器)
中文描述： 3.7 V ± 2.4％免調(diào)整高精度電壓檢測器（檢測范圍3.7伏± 2.4％，高精度電壓檢測器）
文件頁數(shù)： 11/42頁
文件大?。?/td> 324K
代理商： S-80737
HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR
S-807 Series
10
Seiko Instruments Inc.
10. S-80723AL/AL-AL-X, S-80723AN/AN-DL-X
S-80723SL-AL-X, S-80723SN-DL-X (Detection voltage : 2.244 to 2.356 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
2.244
-V
DET
×
0.02
1.0
0.23
2.300
-V
DET
×
0.05
1.4
0.50
2.356
-V
DET
×
0.08
3.5
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 4.5 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
= 0.5 V
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
V
DD
= 1.2 V
(CMOS
V
DD
= 4.8 V
0.36
0.62
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.29
mV/
°
C
11. S-80724AL/AL-AM-X, S-80724AN/AN-DM-X, S-80724SN-DM-X (Detection voltage : 2.342 to 2.458 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
2.342
-V
DET
×
0.02
1.0
0.23
2.400
-V
DET
×
0.05
1.4
0.50
2.458
-V
DET
×
0.08
3.5
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 4.5 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
= 0.5 V
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
V
DD
= 1.2 V
(CMOS
V
DD
= 4.8 V
0.36
0.62
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.30
mV/
°
C
12. S-80725AL/AL-AN-X, S-80725AN/AN-DN-X
S-80725SL-AN-X, S-80725SN-DN-X (Detection voltage : 2.440 to 2.560 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
2.440
-V
DET
×
0.02
1.0
0.23
2.500
-V
DET
×
0.05
1.4
0.50
2.560
-V
DET
×
0.08
3.5
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 4.5 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
= 0.5 V
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
V
DD
= 1.2 V
(CMOS
V
DD
= 4.8 V
0.36
0.62
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.31
mV/
°
C
-V
DET
Ta
-V
DET
Ta
-V
DET
Ta
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