參數(shù)資料
型號： RZ1214B65Y
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN microwave power transistor
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 57K
代理商： RZ1214B65Y
1999 Dec 24
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
RZ1214B65Y
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
CES
V
EBO
I
C
P
tot
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
open emitter
open base
R
BE
= 0
open collector
t
p
≤
150
μ
s;
δ ≤
5%
T
mb
≤
75
°
C;
t
p
≤
150
μ
s;
δ ≤
5%
65
15
60
3
6
225
V
V
V
V
A
W
T
stg
T
j
T
sld
storage temperature
operating junction temperature
soldering temperature
65
+200
200
235
°
C
°
C
°
C
at 0.2 mm from the case;
t
≤
10 s
Fig.2
Power derating curve.
t
p
=
150
μ
s;
δ =
5%.
handbook,
0
50
100
200
(W)
0
200
150
150
100
50
MGD977
Tmb (
°
C)
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PDF描述
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