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參數(shù)資料
| 型號： | RZ1214B35Y_2 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | NPN Microwave power transistor(NPN 微波功率晶體管) |
| 中文描述： | npn型微波功率晶體管（npn型微波功率晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | RZ1214B35Y_2 |
1997 Feb 18
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
RZ1214B35Y
THERMAL CHARACTERISTICS
T
j
= 75
°
C unless otherwise specified
Notes
1.
2.
See “Mounting recommendations in the General part of handbook SC19a”.
Equivalent thermal impedance under pulsed microwave operating conditions.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
APPLICATION INFORMATION
The transistors are 100% tested under the following conditions
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MAX.
UNIT
R
th j-mb
R
th mb-h
Z
th j-h
thermal resistance from junction to mounting-base
thermal resistance from mounting-base to heatsink
thermal resistance from junction to heatsink
5
K/W
K/W
K/W
note 1
t
p
= 100
μ
s;
δ
= 10 %;
notes 1 and 2
0.2
1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
(BR)CBO
V
(BR)CES
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
collector-base breakdown voltage
collector-emitter breakdown voltage
emitter-base breakdown voltage
collector cut-off current
emitter cut-off current
I
C
= 20 mA; I
E
= 0
I
C
= 20 mA; R
BE
= 0
I
C
= 0; I
E
= 3 mA
V
CB
= 50 V; I
E
= 0
V
EB
= 1.5 V; I
C
= 0
65
60
3
2
0.2
V
V
V
mA
mA
MODE OF
OPERATION
CONDITIONS
f
(GHz)
V
CC
(V)
P
L
(W)
G
p
(dB)
η
C
(%)
Z
i
; Z
L
(
)
see Fig 4
see Fig 4
Class-C
t
p
= 150
μ
s;
δ
= 5%
t
p
= 300
μ
s;
δ
= 10%
1.2 to 1,4
1.2 to 1,4
50
50
typ.40; >35
typ.40;
typ.7.8; >7
typ.7
typ.35; >35
typ.35
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PDF描述 |
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