參數(shù)資料
型號： RX1214B300Y
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN Microwave power transistor(NPN 微波功率晶體管)
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： METAL CERAMIC, SOT-439A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 74K
代理商： RX1214B300Y
1997 Feb 19
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
RX1214B300Y
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
P
tot
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
open emitter
R
BE
= 0
open collector
t
p
≤
150
μ
s;
δ
= 5 %
t
p
≤
150
μ
s;
δ
= 5 %;
T
mb
= 75
°
C
65
60
3
21
570
V
V
V
A
W
T
stg
T
j
T
sld
storage temperature
operating junction temperature
soldering temperature
65
+200
200
235
°
C
°
C
°
C
at 0.2 mm from case; t
≤
10 s
Fig.2
Power derating curve.
t
p
= 150
μ
s;
δ
= 5 %
handbook, halfpage
Ptot
(W)
50
0
200
600
200
0
400
50
100
150
Tmb (
°
C)
MGD976
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