參數(shù)資料
型號： RURD620CC
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Mechanism, ultra high speeed, 3-inch ELM w/low profile cutter, ONE tabs
中文描述： 6 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-251AA
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： RURD620CC
2
Electrical Specifications
T
C
= 25
o
C, Unless Otherwise Specified
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN
TYP
MAX
UNITS
V
F
I
F
= 6A
-
-
1.0
V
I
F
= 6A, T
C
= 150
o
C
-
-
0.83
V
I
R
V
R
= 200V
-
-
100
μ
A
V
R
= 200V, T
C
= 150
o
C
-
-
500
μ
A
t
rr
I
F
= 1A, dI
F
/dt = 200A/
μ
s
-
-
25
ns
I
F
= 6A, dI
F
/dt = 200A/
μ
s
-
-
30
ns
t
a
I
F
= 6A, dI
F
/dt = 200A/
μ
s
-
13
-
ns
t
b
I
F
= 6A, dI
F
/dt = 200A/
μ
s
-
6.5
-
ns
Q
RR
I
F
= 6A, dI
F
/dt = 200A/
μ
s
-
20
-
nC
C
J
V
R
= 10V, I
F
= 0A
-
30
-
pF
R
θ
JC
-
-
3.5
o
C/W
DEFINITIONS
V
F
= Instantaneous forward voltage (pw = 300
μ
s, D = 2%).
I
R
= Instantaneous reverse current.
t
rr
= Reverse recovery time (See Figure 9), summation of t
a
+ t
b
.
t
a
= Time to reach peak reverse current (See Figure 9).
t
b
= Time from peak I
RM
to projected zero crossing of I
RM
based on a straight line from peak I
RM
through 25% of I
RM
(See Figure 9).
Q
RR
= Reverse recovery charge.
C
J
= Junction Capacitance.
R
θ
JC
= Thermal resistance junction to case.
pw = Pulse width.
D = Duty cycle.
Typical Performance Curves
FIGURE 1. FORWARD CURRENT vs FORWARD VOLTAGE
FIGURE 2. REVERSE CURRENT vs REVERSE VOLTAGE
V
F
, FORWARD VOLTAGE (V)
I
F
,
1
30
0.5
10
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
25
o
C
100
o
C
175
o
C
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
0
200
50
150
100
100
0.01
0.1
1
10
I
R
,
μ
A
0.001
25
o
C
100
o
C
175
o
C
RURD620, RURD620S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RURD620CCS 6A, 200V Ultrafast Dual Diodes
RURD620S 6A, 200V Ultrafast Diodes
RURD620CC 6A, 200V Ultrafast Dual Diodes
RURD620CCS 6A, 200V Ultrafast Dual Diodes
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參數(shù)描述
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