參數(shù)資料
型號(hào): RUM002N05T2L
廠商: Rohm Semiconductor
文件頁數(shù): 4/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 50V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 200mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.2 歐姆 @ 200mA,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1V @ 1mA
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 25pF @ 10V
功率 - 最大: 150mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-723
供應(yīng)商設(shè)備封裝: VMT3
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: RUM002N05T2LDKR