| 型號： | RQ1A060ZPTR |
| 廠商： | Rohm Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8 |
| 標(biāo)準包裝： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 12V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 6A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫歐 @ 6A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TSMT8 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | TSMT8 |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |