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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RN5VM112D-TR |
| 廠商： | RICOH COMPANY LTD |
| 元件分類： | 電源管理 |
| 英文描述： | High Speed CMOS Logic Quad D-Type Flip-Flops with 3-State Outputs 16-TSSOP -55 to 125 |
| 中文描述： | POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO6 |
| 封裝： | SOT-23, 6 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/25頁(yè) |
| 文件大小： | 180K |
| 代理商： | RN5VM112D-TR |
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RN5VM1
××
C/D
8
Symbol
Item
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
V
DD1
Operating input voltage
Voltage defined as V
DD
–V
SS
1.5
10
V
Vst
Minimum operating voltage
for 0V charging
Voltage defined as V
DD
–V-,
V
DD
–Vss=0V
1.2
V
V
DET1
Over-charge threshold voltage
Detect rising edge of supply voltage
4.30
4.35
4.40
V
V
HYS1
Over-charge threshold hysteresis range
0.15
0.20
0.25
V
t
VDET1
Output delay time of over-charge
C
3
=0.01μF, V
DD
=3.6V
→
4.4V
55
80
105
ms
V
DET2
Over-discharge threshold voltage
Detect falling edge of supply voltage
2.437
2.500
2.563
V
t
VDET2
Output delay time of over-discharge
V
DD
=3.6V
→
2.4V
7
10
13
ms
V
DET3
Excess current threshold voltage
Detect rising edge of “V-” pin voltage
0.17
0.20
0.23
V
t
VDET3
Output delay time of excess current
V
DD
=3.0V
9
13
17
ms
Vshort
Short detection voltage
V
DD
=3.0V
V
DD
–1.1 V
DD
–0.8 V
DD
–0.5
V
t
short
Output delay time of short detection
V
DD
=3.0V
5
50
μs
Rshort
Reset resistance for
excess current protection
V
DD
=3.6V, V-=1.0V
50
100
150
k
V
OL1
Nch ON voltage of C
OUT
I
OL
=50μA, V
DD
=4.4V
0.2
0.5
V
V
OH1
Pch ON voltage of C
OUT
I
OH
=–50μA, V
DD
=3.9V
3.4
3.8
V
V
OL2
Nch ON voltage of D
OUT
I
OL
=50μA, V
DD
=2.4V
0.2
0.5
V
V
OH2
Pch ON voltage of D
OUT
I
OH
=–50μA, V
DD
=3.9V
3.4
3.7
V
I
DD
Supply current
V
DD
=3.9V, V-=0V
3.0
6.0
μA
Istandby
Standby current
V
DD
=2.0V
0.3
0.6
μA
Topt=25C
*
) Please refer to Test Circuit unless otherwise specified.
RN5VM112D
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