參數資料
型號： RN4986
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
中文描述： npn型硅外延型（厘進程）硅外延式進步黨（厘進程）
文件頁數： 4/6頁
文件大?。?/td> 150K
代理商： RN4986
RN4986
2001-06-07
4
Q1
相關PDF資料
PDF描述
RN4987 Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN4987FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN·PNP Epitaxial Type
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相關代理商/技術參數
參數描述
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RN4986FS 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 4.7K x 47Kohms Polarity=NPN+PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
RN4986FS(TPL3) 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 4.7K x 47Kohms Polarity=NPN+PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
RN4987 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN4987(TE85L,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistors NPN/PNP 50V 0.1A 10/47k US6
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