參數(shù)資料
型號(hào)： RN2427
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： PNP EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, INVERTER CIRCUIT, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONS)
中文描述： 進(jìn)步黨外延型（開(kāi)關(guān)，逆變器電路，接口電路及驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用）
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 332K
代理商： RN2427
RN2421~RN2427
2001-11-29
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2421,RN2422,RN2423,RN2424
RN2425,RN2426,RN2427
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
High current type (I
C(MAX)
=
800mA)
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Low V
CE (sat)
Complementary to RN
1
42
1
~RN
1
427
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
Maximum Ratings
(Ta = 25 C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-Base voltage
V
CBO
50
V
Collector-Emitter voltage
RN2421~2427
V
CEO
50
V
RN2421~2424
10
RN2425, 2426
5
Emitter-Base voltage
RN2427
V
EBO
6
V
Collector current
I
c
800
mA
Collector power dissipation
P
c
200
mW
Junction temperature
T
j
150
C
Storage temperature range
RN2421~2427
T
stg
55~150
C
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-59
TOSHIBA
2-3F1A
Weight: 0.012 g (typ.)
Type No.
R1 (k
)
R2 (k
)
RN2421
1
1
RN2422
2.2
2.2
RN2423
4.7
4.7
RN2424
10
10
RN2425
0.47
10
RN2426
1
10
RN2427
2.2
10
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