參數(shù)資料
型號： RN1309
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
中文描述： 東芝npn型晶體管硅外延型（厘進程）
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 172K
代理商： RN1309
RN1307~RN1309
2001-06-07
2
Electrical Characteristics
(Ta = 25 C)
Characteristic
Symbol
Test
Circuit
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
I
CBO
―
V
CB
= 50V, I
E
= 0
―
―
100
Collector cut-off current
I
CEO
―
V
CE
= 50V, I
B
= 0
―
―
500
nA
RN1307
―
V
EB
= 6V, I
C
= 0
0.081
―
0.15
RN1308
―
V
EB
= 7V, I
C
= 0
0.078
―
0.145
Emitter cut-off current
RN1309
I
EBO
―
V
EB
= 15V, I
C
= 0
0.167
―
0.311
mA
RN1307
―
80
―
―
RN1308
―
80
―
―
DC current gain
RN1309
h
FE
―
V
CE
= 5V, I
C
= 10mA
70
―
―
―
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat)
―
I
C
= 5mA, I
B
= 0.25mA
―
0.1
0.3
V
RN1307
―
0.7
―
1.8
RN1308
―
1.0
―
2.6
Input voltage (ON)
RN1309
V
I (ON)
―
V
CE
= 0.2V, I
C
= 5mA
2.2
―
5.8
V
RN1307
―
0.5
―
1.0
RN1308
―
0.6
―
1.16
Input voltage (OFF)
RN1309
V
I (OFF)
―
V
CE
= 5V, I
C
= 0.1mA
1.5
―
2.6
V
Translation frequency
f
T
―
V
CE
= 10V, I
C
= 5mA
―
250
―
MHz
Collector output capacitance
C
ob
―
V
CB
= 10V, I
E
= 0,
f = 1MHz
―
3
6
pF
RN1307
―
7
10
13
RN1308
―
15.4
22
28.6
Input resistor
RN1309
R1
―
―
32.9
47
61.1
k
RN1307
―
0.191
0.213
0.232
RN1308
―
0.421
0.468
0.515
Resistor ratio
RN1309
R1/R2
―
―
1.92
2.14
2.35
―
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RN1310_07 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
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