參數(shù)資料
型號(hào)： RMPA2271
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 衰減器
英文描述： WCDMA/UMTS Power Edge Power Amplifier Module with Integrated Power Detector
中文描述： 1920 MHz - 1980 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND LOW POWER AMPLIFIER
封裝： 3 X 3 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, LCC-8
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 373K
代理商： RMPA2271
2
www.fairchildsemi.com
RMPA2271 Rev. B
R
PRELIMINARY
Absolute Ratings
1
Note:
1. No permanent damage with only one parameter set at extreme limit. Other parameters set to typical values.
Electrical Characteristics (1920 to 1980 MHz)
1
Notes:
1. All parameters met at T
C
= +25°C, V
CC
= +3.4V, V
ref
= 2.85V and load VSWR
≤
1.2:1, unless otherwise noted.
Symbol
Parameter
Ratings
Units
V
CC1
, V
CC2
Supply Voltages
5.0
V
V
ref
Reference Voltage
2.6 to 3.5
V
V
mode
Power Control Voltage
3.5
V
P
IN
RF Input Power
+10
dBm
T
STG
Storage Temperature
-55 to +150
°C
Symbol
Parameter
Min
1920
Typ
Max
1980
Units
MHz
Comments
f
WCDMA Operation
Gp
Operating Frequency
Power Gain
27
26
dB
dB
dBm
dBm
%
%
%
mA
mA
V
V
Po = +28dBm, Vmode = 0V
Po = +16dBm, Vmode
Vmode = 0V
Vmode
≥
2.0V
Vmode = 0V
Vmode
≥
2.0V
Vmode
≥
2.0V, Vcc = 1.4V
Po = +28dBm, Vmode = 0V
Po = +16dBm, Vmode
Po = +28dBm, Vmode
Po = +16dBm, Vmode
≥
2.0V
Po
Linear Output Power
28
16
PAEd
PAEd (digital) @ +28dBm
PAEd (digital) @ +16dBm
PAEd (digital) @ +16dBm
High Power Total Current
Low Power Total Current
Detector Output
41
9
25
450
130
1.4
0.3
Itot
≥
=
≥
2.0V
0V
2.0V
P
det
Adjacent Channel Leakage
Ratio
WCDMA Modulation 3GPP
3.2 03-00 DPCCH+1 DCDCH
ACLR1
±5.00MHz Offset
1920–1980MHz
-40
-42
-54
-66
dBc
dBc
dBc
dBc
Po = +28dBm, Vmode = 0V
Po = +16dBm, Vmode
Po = +28dBm, Vmode = 0V
Po = +16dBm, Vmode
≥
2.0V
ACLR2
±10.00MHz Offset
1920–1980MHz
≥
2.0V
General Characteristics
VSWR
NF
Rx No
2fo – 5fo
S
Input Impedance
Noise Figure
Receive Band Noise Power
Harmonic Suppression
Spurious Outputs
Ruggedness with Load
Mismatch
Case Operating Temperature
DC Characteristics
Iccq
Quiescent Current
Iref
Reference Current
Icc(off)
Shutdown Leakage Current
2.0:1
4
-142
dB
dBm/Hz Po
dBc
dBc
≤
≤
+28dBm, 2110 to 2170MHz
+28dBm
Load VSWR
≤
5.0:1
No permanent damage
3
-50
-60
10:1
Po
2, 3
3
Tc
-30
85
°C
50
7
1
mA
mA
μA
Vmode
Po
≤
No applied RF signal
≥
2.0V
+28dBm
5
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PDF描述
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