參數(shù)資料
型號(hào)： RMM2080
廠商： RAYTHEON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 衰減器
英文描述： 2-18 GHz Wideband Variable-Gain Driver Amplifier
中文描述： 2000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大小： 201K
代理商： RMM2080
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
RMM2080 Rev. C
R
Electrical Characteristics
50
system, Vd = +7V, quiescent current (Idq) = 300 mA, GC1, GC2 = +1.5V
(at 25°C)
Notes:
1. Typical range of the negative gate voltage is -0.9 to 0.0V to set typical Idq of 300 mA.
2. GC1 and GC2 of +1.5V and VG23 = open corresponds to maximum gain and power.
Figure 1. Block Diagram and Circuit Schematic
Figure 2. Location and Size of Bonding Pads (Dimensions in Inches)
Parameter
Min
2
Typ
–
-0.7
20
24
±2
7
Max
18
Units
GHz
V
dBm
dB
dB
dB
dB
V
Frequency Range
Gate Supply Voltage (Vg)
RF Output Power @ -1dB
Small Signal Gain
Gain Flatness vs. Freq.
Input/Output Return Loss
Gain Control Range
Gain Control Voltage, GC1&2
1
18
70
-5
2
+1.5
VG1
GC1
GC2
VDD
VG23
VG1
RF IN
RF OUT
GC1
GC2
VD VG2-3
RMM2080
0.127
0.122
0.118
0.114
0.100
0.005
0.009
0.100
0.114
0.000
0
0
0
V
C
C
O
V
V
G
G
V
I
V
V
0
0
0
0
0
0
0
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
RMM2080 2-18 GHz Wideband Variable-Gain Driver Amplifier
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RMPA0959 CDMA and CDMA2000-1X PowerEdge Power Amplifier Module
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