| 型號(hào)： |
RJP020N06T100 |
| 廠商： |
Rohm Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： |
1/3頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
xT100 Series SOT-89
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn)： |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
60V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
2A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
240 毫歐 @ 2A，4.5V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
1.5V @ 1mA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
10nC @ 4V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
160pF @ 10V
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| 功率 - 最大： |
500mW
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
TO-243AA
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
MPT3
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： |
1637 (CN2011-ZH PDF)
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| 其它名稱： |
RJP020N06T100DKR
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