參數(shù)資料
型號(hào): RJK03E0DNS-00#J5
廠(chǎng)商: Renesas Electronics America
文件頁(yè)數(shù): 3/7頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HWSON
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 30A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.6 毫歐 @ 15A,10V
閘電荷(Qg) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3050pF @ 10V
功率 - 最大: 20W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-WDFN 裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-HWSON(3.3x3.3)
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱(chēng): RJK03E0DNS-00#J5DKR