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參數(shù)資料
| 型號： | RGP10M |
| 廠商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 1.0 Amp Glass Passivated Junction Fast Recovery Rectifiers 50 to 1000 Volts |
| 中文描述： | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封裝： | DO-41, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | RGP10M |
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES RGP10A THRU RGP10M
Zowie Technology Corporation
REV. : 0
FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE
FIG.3 - TYPICAL INSTANTANEOUS
FORWARD CHARACTERISTICS
A
C
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
I
A
0.10
1.00
10.00
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
0
25
50
75
100
125
150
175
60Hz
RESISTIVE OR
INDUCTIVE LOAD
PULSE WIDTH=300uS
1% DUTY CYCLE
AMBIENT TEMPERATURE,
o
C
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE,
VOLTS
0.375" (9.5mm) LEAD LENGTH
FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE
PEAK FORWARD SURGE CURRENT
P
A
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
T
J
=T
J
max.
8.3ms SINGLE HALF SINE-WAVE
(JEDEC Method)
5
10
15
20
25
30
1
10
100
FIG.4 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE,%
I
C
0.1
T
o
C
0.1
1
10
100
0
20
1
10
100
T
J
=125
o
C
T
J
=150
o
C
40
60
80
100 110
FIG.5 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
FIG.6 - TYPICAL TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
T
J
= 25
o
C
REVERSE VOLTAGE, VOLTS
.1
1
J
40
200
.2
.4
1.0
2
4
10
20
40
100
t , PULSE DURATION, sec
100
10
1.0
0.10
0.01
2
4
10
6
20
60
100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RGP10A | 1.0 Amp Glass Passivated Junction Fast Recovery Rectifiers 50 to 1000 Volts |
| RGP10B | 1.0 Amp Glass Passivated Junction Fast Recovery Rectifiers 50 to 1000 Volts |
| RGP10D | 1.0 Amp Glass Passivated Junction Fast Recovery Rectifiers 50 to 1000 Volts |
| RGP10G | 1.0 Amp Glass Passivated Junction Fast Recovery Rectifiers 50 to 1000 Volts |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| RGP10M/23 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 1.0A 1000 Volt 500ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
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