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參數(shù)資料
| 型號： | RFD20N03 |
| 廠商： | INTERSIL CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 20A, 30V, 0.025 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| 中文描述： | 20 A, 30 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 221K |
| 代理商： | RFD20N03 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RFD20N03SM | 20A, 30V, 0.025 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| RFD3055SM9A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA |
| RFD8P05SM9A | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-252AA |
| RFD8P06ESM9A | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-252AA |
| RFEVAL1-SYS | EVALUATION BOARD RF |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RFD20N03SM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| RFD20N03SM9A | 功能描述:MOSFET 30V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| RFD20N03SM9A_R4770 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RFD20N03SM9AR4761 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RFD20N03SM9AR4770 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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