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參數(shù)資料
| 型號： | RFD16N03 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 16A, 30V, Avalanche Rated N-Channel Logic Level Enhancement-Mode Power MOSFETs |
| 中文描述： | 第16A，30V的，雪崩額定N溝道邏輯電平增強型功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 1/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 228K |
| 代理商： | RFD16N03 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RFD16N03L | 16A, 30V, Avalanche Rated N-Channel Logic Level Enhancement-Mode Power MOSFETs |
| RFD16N05 | 16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| RFD16N05L | 16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
| RFD16N05LSM | 16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
| RFD16N05SM | 16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RFD16N03L | 功能描述:MOSFET TO-251 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| RFD16N03LSM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RFD16N03LSM9A | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RFD16N03LSM9AR4610 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RFD16N05 | 功能描述:MOSFET TO-251AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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