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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RD12MB2-T1B |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | 12 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝： | MINIMOLD, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 208K |
| 代理商： | RD12MB2-T1B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| RD18MB3-T1B | 18 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| RD3.6MB2-T1B | 3.6 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| RD8.2MB1-T2B | 8.2 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| RD15MWB-T2B | 15 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| RD12MWB-T2B | 12 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RD12M-T1B-A-B1 | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:11.66V |
| RD12M-T1B-A-B2 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| RD12M-T1B-A-B3 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| RD12MVP1 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz, 10W |
| RD12MVP1_10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz, 10W |
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