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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RBV-4102 |
| 廠商： | SANKEN ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 200V 10A Bridge Diode |
| 中文描述： | 10 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 23K |
| 代理商： | RBV-4102 |
Weight: 4.05g
25
9
C3
7.5
7.5
7.5
1
4-1.0
4.6
3.6
1
1
0.7
–
+
2.7
±
0.1
φ
3.2
±
0.1
External dimensions
(Unit: mm)
Flammability:
UL94V-0 or equivalent
200V 10A
Bridge Diode
RBV-4102
I
Absolute maximum ratings
I
Electrical characteristics
Parameter
Ratings
Unit
Conditions
50Hz Half-cycle sinewave Single Shot
V
A
A
°
C
°
C
250
10
80
–40 to +150
–40 to +150
V
RSM
V
RM
I
F(AV)
I
FSM
Tj
V
200
Tstg
μ
A
μ
A
°
C/W
Parameter
Ratings
Unit
Conditions
V
1.1max
10max
100max
2.0max
V
F
I
R
H.I
R
Tj=25
°
C, I
F
=5A, per element
Tj=25
°
C, V
R
=V
RM
, per element
Tj=150
°
C
,
V
R
=V
RM,
per element
Junction to Case
Rth(j-c)
0
Overcurrent Cycles
1
I
FSM
Rating
5
40
P
F
(
50
10
20
20ms
80
0
25
Ambient Temperature Ta (oC)
50
75
100
125
150
0
2.0
4.0
6.0
10.0
8.0
40
60
V
F
– I
F
Characteristics
(Typical)
0.5
Forward Voltage V
F
(V)
1.0
F
F
(
0
1.5
2.0
1
10
100
0.1
0.01
Ta=150
°
C
100
°
C
60
°
C
25
°
C
A
F
(
Ta
– I
F(AV)
Derating
I
F
(
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RBV-604 | Bridge Diodes |
| RBV-601 | Bridge Diodes |
| RBV-602 | Bridge Diodes |
| RBV-606 | Bridge Diodes |
| RBV-606H | Bridge Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RBV5000 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SILICON BRIDGE RECTIFIERS |
| RBV5000_05 | 制造商:EIC 制造商全稱:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SILICON BRIDGE RECTIFIERS |
| RBV5001 | 制造商:EIC 制造商全稱:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SILICON BRIDGE RECTIFIERS |
| RBV5002 | 制造商:EIC 制造商全稱:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SILICON BRIDGE RECTIFIERS |
| RBV5004 | 制造商:EIC 制造商全稱:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SILICON BRIDGE RECTIFIERS |
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