參數(shù)資料
型號: R8002ANX
廠商: Rohm Semiconductor
文件頁數(shù): 2/14頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 500
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.3 歐姆 @ 1A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 12.7nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 210pF @ 25V
功率 - 最大: 35W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220FM
包裝: 散裝