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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | R5F64169HDFB |
| 元件分類(lèi)： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 64-BIT, FLASH, MICROCONTROLLER, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 60/98頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 782K |
| 代理商： | R5F64169HDFB |
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REJ03B0253-0110
Rev.1.10
Page 63 of 95
Jun 23, 2010
R32C/116 Group
5. Electrical Characteristics
Timing Requirements (VCC = 3.0 to 5.5 V, VSS = 0 V, and Ta = Topr, unless otherwise noted)
Figure 5.5
Flash Memory CPU Rewrite Mode Timing
Table 5.14
Flash Memory CPU Rewrite Mode Timing
Symbol
Characteristics
Value
Unit
Min.
Max.
tcR
Read cycle time
200
ns
tsu(S-R)
Chip-select setup time for read
200
ns
th(R-S)
Chip-select hold time after read
0ns
tsu(A-R)
Address setup time for read
200
ns
th(R-A)
Address hold time after read
0ns
tw(R)
Read pulse width
100
ns
tcW
Write cycle time
200
ns
tsu(S-W)
Chip-select setup time for write
0ns
th(W-S)
Chip-select hold time after write
30
ns
tsu(A-W)
Address setup time for write
0ns
th(W-A)
Address hold time after write
30
ns
tw(W)
Write pulse width
50
ns
Chip select
Address
RD
t h(R-S)
Read cycle
t w(R)
t su(S-R)
t h(R-A)
t su(A-R)
Write cycle
Chip select
Address
WR
t h(W-S)
t w(W)
t su(S-W)
t h(W-A)
t su(A-W)
t cW
t cR
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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