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參數(shù)資料
| 型號： | R5F363B6NFE |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 16-BIT, FLASH, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP80 |
| 封裝： | 12 X 12 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-80 |
| 文件頁數(shù)： | 90/115頁 |
| 文件大小： | 2363K |
| 代理商： | R5F363B6NFE |
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REJ03B0271-0100 Rev.1.00 Sep 15, 2009
Page 76 of 113
M16C/63 Group
5. Electrical Characteristics
Figure 5.16
Timing Diagram
BCLK
CSi
ADi
ALE
RD
Hi-Z
DBi
BHE
Read timing
WR, WRL,
WRH
BCLK
CSi
ADi
ALE
BHE
DBi
Write timing
Hi-Z
Memory Expansion Mode and Microprocessor Mode
(in 1 to 3 waits setting and when accessing external area)
1
V
= V
= 5 V
CC1
CC2
td(BCLK-CS)
25ns(max.)
0ns(min.)
tcyc
th(BCLK-AD)
td(BCLK-AD)
25ns(max.)
td(BCLK-ALE)
15ns(max.)
0ns(min.)
th(BCLK-CS)
-4ns(min.)
th(BCLK-ALE)
0ns(min.)
th(RD-AD)
td(BCLK-RD)
25ns(max.)
0ns(min.)
th(BCLK-RD)
{(n+0.5)
× t
- 45}ns(max.)
cyc
40ns(min.)
tsu(DB-RD)
0ns(min.)
th(RD-DB)
td(BCLK-CS)
25ns(max.)
0ns(min.)
th(BCLK-CS)
tcyc
td(BCLK-AD)
25ns(max.)
0ns(min.)
th(BCLK-AD)
td(BCLK-ALE)
15ns(max.)
-4ns(min.)
th(BCLK-ALE)
(0.5
× t
-10)ns(min.)
cyc
th(WR-AD)
tac2(RD-DB)
td(BCLK-WR)
25ns(max.)
0ns(min.)
th(BCLK-WR)
td(BCLK-DB)
40ns(max.)
0ns(min.)
th(WR-DB)
td(DB-WR)
{(n-0.5)
× t
- 40}ns(min.)
cyc
(0.5
× t
-10)ns(min.)
cyc
t
=
cyc
th(BCLK-DB)
n: 1 (when 1 wait)
2 (when 2 waits)
3 (when 3 waits)
Measuring conditions
V
= V
= 5 V
CC1
CC2
Input timing voltage: V = 0.8 V, V
= 2.0 V
IL
IH
Output timing voltage: V
= 0.4 V, V
= 2.4 V
OL
OH
f(BCLK)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| R5F363BENFE | 16-BIT, FLASH, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP80 |
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參數(shù)描述 |
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