參數(shù)資料
型號: R5F363AKDFB
元件分類: 微控制器/微處理器
英文描述: 16-BIT, FLASH, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100
封裝: 14 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100
文件頁數(shù): 102/119頁
文件大?。?/td> 907K
代理商: R5F363AKDFB
R01DS0033EJ0200 Rev.2.00
Page 83 of 115
Feb 07, 2011
M16C/63 Group
5. Electrical Characteristics
Figure 5.20
Timing Diagram
Read timing
Write timing
BCLK
CSi
ALE
DBi
ADi
BHE
BCLK
CSi
ALE
DBi
ADi
BHE
RD
tcyc
td(BCLK-CS)
25ns(max.)
Hi-Z
tsu(DB-RD)
Hi-Z
V
= V
= 5V
CC1
CC2
Memory Expansion Mode and Microprocessor Mode
(in wait state setting 2
φ + 3 φ, 2 φ + 4 φ, 3φ + 4 φ, and 4 φ + 5 φ, and
when inserting 1 to 3 recovery cycles and accessing external area)
n: 3 (when 2
φ + 3 φ)
4 (when 2
φ + 4 φ or 3 φ + 4 φ)
5 (when 4
φ + 5 φ)
th(BCLK-CS)
0ns(min.)
td(BCLK-AD)
25ns(max.)
th(BCLK-AD)
0ns(min.)
td(BCLK-ALE)
15ns(max.)
th(BCLK-ALE)
-4ns(min.)
td(BCLK-RD)
25ns(max.)
th(BCLK-RD)
0ns(min.)
th(RD-DB)
0ns(min.)
tcyc
td(BCLK-CS)
25ns(max.)
td(BCLK-AD)
25ns(max.)
th(BCLK-ALE)
-4ns(min.)
td(BCLK-ALE)
15ns(max.)
td(BCLK-WR)
25ns(max.)
td(BCLK-DB)
40ns(max.)
th(BCLK-CS)
0ns(min.)
th(BCLK-AD)
0ns(min.)
th(WR-AD)
(m × t
-10)ns(min.)
cyc
th(BCLK-WR)
0ns(min.)
th(BCLK-DB)
0ns(min.)
th(WR-DB)
(m × t
-10)ns(min.)
cyc
(n × t
-45)ns(max.)
cyc
tac4(RD-DB)
(n × t
-40)ns(min.)
cyc
td(DB-WR)
tcyc =
1
f(BCLK)
Measuring conditions
V
= V
= 5V
CC1
CC2
Input timing voltage: V = 0.8 V, V
= 2.0 V
IL
IH
Output timing voltage: V
= 0.4 V, V
= 2.4 V
OL
OH
m: 1 (when 1 recovery cycle inserted )
2 (when 2 recovery cycles inserted)
3 (when 3 recovery cycles inserted)
th(RD-AD)
(m × t
+0)ns(min.)
cyc
WR, WRL
WRH
40ns(min.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
R5F363AKNFA 16-BIT, FLASH, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100
R5F363AKDFB 16-BIT, FLASH, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100
R5F363AMNLG 16-BIT, FLASH, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PBGA100
R5F363B6NFE 16-BIT, FLASH, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP80
R5F363AMDFA 16-BIT, FLASH, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100
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參數(shù)描述
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