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參數(shù)資料
| 型號： | R5F21123FP |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 16-BIT, FLASH, 16 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP32 |
| 封裝： | 7 X 7 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-32 |
| 文件頁數(shù)： | 59/198頁 |
| 文件大小： | 1809K |
| 代理商： | R5F21123FP |
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17. Flash Memory Version
R8C/12 Group
Rev.1.20
Jan 27, 2006
page 141 of 181
REJ09B0110-0120
Table 17.1 Flash Memory Version Performance
17. Flash Memory Version
17.1 Overview
The flash memory version has two modes—CPU rewrite and standard serial I/O—in which its flash
memory can be operated on.
Table 17.1 outlines the performance of flash memory version (see “Table 1.1 Performance” for the items
not listed on Table 17.1).
Item
Flash memory operating mode
Erase block
Method for program
Method for erasure
Program, erase control method
Protect method
Number of commands
Number of program
and erasure(1)
ROM code protection
Specification
2 modes (CPU rewrite and standard serial I/O)
See “Figure 17.1. Flash Memory Block Diagram”
In units of byte
Block erase
Program and erase controlled by software command
Protect for Block 0 and 1 by FMR02 bit in FMR0 register
5 commands
1,000 times
Standard serial I/O mode is supported.
NOTES:
1. Definition of program/erase times
The program/erase times are defined to be per-block erase times. When the program/erase times are n
times (n=1,000 or 10,000 times), to erase n times per block is possible. For example, if performing one-
byte write to the distinct addresses on the Block A of 2K-byte block 2,048 times and then erasing that
block, the number of the program/erase cycles is one time. if rewriting more than 1,000 times, run the
program until the vacant areas are all used to reduce the substantial rewrite times and then erase. Avoid
rewriting only particular blocks and rewrite to average the program and erase times to each block. Also
keep the erase times as inrformation and set up the limit times.
Block0 and 1 (program ROM)
10,000 times
BlockA and B (data flash)
Protect for Block 0 by FMR16 bit and Block 1 by FMR16 bit
Table 17.2 Flash Memory Rewrite Modes
Flash memory
CPU rewrite mode
Standard serial I/O mode
rewrite mode
Function
Areas which
User ROM area
can be rewritten
Operation
Single chip mode
Boot mode
mode
ROM
None
Serial programmer
programmer
User ROM area is rewritten by executing
software commands from the CPU.
EW0 mode: Can be rewritten in any area
other than the flash memory
EW1 mode: Can be rewritten in the flash
memory
User ROM area is rewritten by using a
dedicated serial programmer.
Standard serial I/O mode 1
: Clock synchronous serial I/O
Standard serial I/O mode 2
: UART
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PDF描述 |
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| R5F21143DSP | 16-BIT, FLASH, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO20 |
| R5F21142DSP | 16-BIT, FLASH, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO20 |
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參數(shù)描述 |
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| R5F21124DFP#V0 | 功能描述:IC R8C MCU FLASH 16K 32LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:R8C/1x/12 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323 |
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