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參數(shù)資料
| 型號： | R5F21122DFP |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 16-BIT, FLASH, 16 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP32 |
| 封裝： | 7 X 7 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-32 |
| 文件頁數(shù)： | 50/198頁 |
| 文件大?。?/td> | 1809K |
| 代理商： | R5F21122DFP |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁當(dāng)前第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁
R8C/12 Group
16. Electrical Characteristics
Rev.1.20
Jan 27, 2006
page 133 of 181
REJ09B0110-0120
Table 16.6 Power Circuit Timing Characteristics
Symbol
Standard
Typ.
Unit
Measuring condition
Min.Max.
Parameter
2000
NOTES:
1. The measuring condition is Vcc=AVcc=2.7 to 5.5 V and Topr=25 °C.
2. This shows the waiting time until the internal power supply generating circuit is stabilized during powering-on.
3. This shows the time until BCLK starts from the interrupt acknowledgement to cancel stop mode.
150
td(R-S)
STOP release time(3)
s
td(P-R)
Time for internal power supply stabilization during powering-on(2)
s
1
Table 16.5 Flash Memory (Data flash Block A, Block B) Electrical Characteristics(4)
Byte program time(program/erase endurance
≤1000 times)
Program, Erase Voltage
Read Voltage
65
0.3
s
Parameter
Standard
Min.Typ.Max
Unit
NOTES:
1. Referenced to VCC=AVcc=2.7 to 5.5V at Topr = -20 to 85 °C / -40 to 85 °C unless otherwise specified.
2. Definition of Program/Erase
The endurance of Program/Erase shows a time for each block.
If the program/erase number is “n” (n = 1,000, 10,000), “n” times erase can be performed for each block.
For example, if performing one-byte write to the distinct addresses on Block A of 2K-byte block 2048 times and then
erasing that block, the number of Program/Erase cycles is one time.
However, performing multiple writes to the same address before an erase operation is prohibited (overwriting prohibited).
3. Numbers of Program/Erase cycles for which all electrical characteristics is guaranteed.
4. Table 16.5 applies for Block A or B when the Program/Erase cycles are more than 1000. The byte program time up to
1000 cycles are the same as that of the program area (see Table 5.4).
5. To reduce the number of Program/Erase cycles, a block erase should ideally be performed after writing in series as many
distinct addresses (only one time each) as possible. If programming a set of 16 bytes, write up to 128 sets and then erase
them one time. This will result in ideally reducing the number of Program/Erase cycles. Additionally, averaging the number
of Program/Erase cycles for Block A and B will be more effective. It is important to track the total number of block erases
and restrict the number.
6. If error occurs during block erase, attempt to execute the clear status register command, then the block erase command
at least three times until the erase error disappears.
7. Customers desiring Program/Erase failure rate information should contact their Renesas technical support representa-tive.
8. -40
°C for D version.
9. The data hold time includes time that the power supply is off or the clock is not supplied.
Measuring condition
Symbol
–
Program/Erase Temperature
2.7
-20(-40)(8)
5.5
85
s
V
°C
–
Program/Erase endurance(2)
10000(3)
times
Time delay from Suspend Request until Erase Suspend
ms
td(SR-ES)
Byte program time(program/erase endurance
>1000 times)
Block erase time(program/erase endurance
≤1000 times)
Block erase time(program/erase endurance
>1000 times)
–
Data hold time(9)
–
Ambient temperature =
55 °C
50
0.2
400
9
8
20
s
year
Erase Suspend Request Interval
–
10
ms
Figure 16.2 Time delay from Suspend Request until Erase Suspend
FMR46
Erase-suspend request
(interrupt request)
td(SR-ES)
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