參數(shù)資料
型號(hào)： R5F21113DFP
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER
中文描述： 單片16位CMOS微機(jī)
文件頁(yè)數(shù)： 10/29頁(yè)
文件大小： 275K
代理商： R5F21113DFP
Rev.1.40
Sep 30, 2004
page 18 of 26
REJ09B0034-0140Z
R8C/11 Group
5. Electrical Characteristics
Table 5.10 Electrical Characteristics (1)
[Vcc=5V]
Symbol
VOH
VOL
"L" output voltage
"H" output voltage
Standard
Typ.
Unit
Measuring condition
V
Min.
Max.
VCC
-2.0
Parameter
IOH=
-5mA
V
Hysteresis
"H" input current
IIH
"L" input current
IIL
VRAM
RAM retention voltage
VT+-VT-
0.2
V
A
At stop mode
2.0
VI=5V
VI=0V
RfXIN
Feedback resistance
XIN
M
RPULLUP
Pull-up resistance
167
k
30
125
Note
1 : Referenced to VCC=AVCC=4.2 to 5.5V at Topr = -20 to 85 °C / -40 to 85 °C, f(BCLK)=20MHz unless otherwise specified.
VCC
Except XOUT
XOUT
IOH=
-200A
Drive ability HIGH
Drive ability LOW
VCC
-0.3
VCC
V
IOH=
-1 mA
VCC
-2.0
VCC
-2.0
IOH=
-500A
V
VCC
P10 to P17
Except XOUT
P10 to P17
XOUT
Drive capacity HIGH
Drive capacity LOW
IOH= 5 mA
IOH= 200 A
IOL= 15 mA
IOL= 5 mA
2.0
0.45
V
2.0
V
Drive capacity HIGH
Drive capacity LOW
IOL= 1 mA
IOL=500 A
2.0
V
RESET
0.2
1.0
2.2
V
5.0
-5.0
A
VI=0V
50
1.0
fRING-S
Low-speed on-chip oscillator frequency
40
250
kHz
INT0, INT1, INT2, INT3, KI0, KI1,
KI2, KI3, CNTRo, CNTR1, TCIN,
RxD0, RxD1
Drive capacity LOW
IOL= 200 A
0.45
V
Symbol
Standard
Typ.
Unit
Measuring condition
Min.
Max.
Parameter
High-speed on-chip oscillator frequency 1 / {td(HRoffset)+td(HR)} when the
reset is released
NOTES:
1. The measuring condition is Vcc=AVcc=5.0 V and Topr=25 °C.
High-speed on-chip oscillator period adjusted unit
MHz
ns
VCC=5.0V, Topr=25 °C
Set "0016" in the HR1 register
8
61
Differences when setting "0116" and "0016"
in the HR register
Settable high-speed on-chip oscillator minimum period
High-speed on-chip oscillator temperature dependence(1)
td(HRoffset)
td(HR)
VCC=5.0V, Topr=25 °C
Set "4016" in the HR1 register
1
ns
Frequency fluctuation in temperature range
of -10 °C to 50 °C
±5
%
High-speed on-chip oscillator temperature dependence(2)
Frequency fluctuation in temperature range
of -40 °C to 85 °C
±10
610
Table 5.8 High-speed On-Chip Oscillator Circuit Electrical Characteristics
Symbol
Standard
Typ.
Unit
Measuring condition
Min.
Max.
Parameter
2
Note
1: The measuring condition is Vcc=AVcc=2.7 to 5.5 V and Topr=25 °C.
2: This shows the wait time until the internal power supply generating circuit is stabilized during power-on.
3: This shows the time until BCLK starts from the interrupt acknowledgement to cancel stop mode.
150
td(R-S)
STOP release time3
ms
td(P-R)
Time for internal power supply stabilization during powering-on2
s
Table 5.9 Power Circuit Timing Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
R5F21114DFP SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER
R5S72691P266BG 32-BIT, FLASH, 266.67 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA272
R5S72691P266FP 32-BIT, FLASH, 266.67 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP256
R6202230XXOO 300 A, 2200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
R8206-1 82 SERIES, 16-BIT ERROR DETECT AND CORRECT CKT, CQCC68
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參數(shù)描述
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R5F21113FP 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MCU 16BIT R8C CISC 12KB FLASH 3.3V/5V 32LQFP - Trays 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:16BIT MCU FLASH SMD R8/C11 LQFP
R5F21113FP#U0 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MCU 16-Bit R8C CISC 12KB Flash 3.3V/5V 32-Pin LQFP Tray 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MCU 16BIT R8C CISC 12KB FLASH 3.3V/5V 32LQFP - Trays
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R5F21113FP#W4 功能描述:IC R8C MCU FLASH 12K 32LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:R8C/1x/11 標(biāo)準(zhǔn)包裝:300 系列:78K0R/Ix3 核心處理器:78K/0R 芯體尺寸:16-位 速度:40MHz 連通性:3 線 SIO，I²C，LIN，UART/USART 外圍設(shè)備:DMA，LVD，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):27 程序存儲(chǔ)器容量:16KB（16K x 8） 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:1K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 8x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:38-SSOP 包裝:托盤
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