參數(shù)資料
型號： R1RP0408D
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： 4M High Speed SRAM (512-kword ?8-bit)
中文描述： 4分高速SRAM（512 - KWord的？8位）
文件頁數(shù)： 4/14頁
文件大?。?/td> 86K
代理商： R1RP0408D
R1RP0408D Series
Rev.1.00, Mar.12.2004, page 12 of 12
Low V
CC Data Retention Characteristics
(Ta = 0 to +70
°C)
This characteristics is guaranteed only for L-version.
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Test conditions
V
CC for data retention
V
DR
2.0
V
CC ≥ CS# ≥ VCC 0.2 V
(1) 0 V
≤ V
IN ≤ 0.2 V or
(2) V
CC ≥ VIN ≥ VCC 0.2 V
Data retention current
I
CCDR
500
A
V
CC = 3 V, VCC ≥ CS# ≥ VCC 0.2 V
(1) 0 V
≤ V
IN ≤ 0.2 V or
(2) V
CC ≥ VIN ≥ VCC 0.2 V
Chip deselect to data
retention time
t
CDR
0
ns
See retention waveform
Operation recovery time
t
R
5
ms
Low V
CC Data Retention Timing Waveform
CC
V
2.2 V
4.5 V
0 V
CS#
tCDR
tR
DR
V
Data retention mode
VCC ≥ CS# ≥ VCC 0.2 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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R1RP0416DGE-2PR 4M High Speed SRAM (256-kword X 16-bit)
R200CH18EE2 1765 A, 1800 V, SCR, TO-200AC
R185CH08EJ6 1030 A, 800 V, SCR, TO-200AB
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參數(shù)描述
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R1RP0408DGE-2LR#B0 制造商:Renesas Electronics 功能描述:SRAM Chip Async Single 5V 4M-Bit 512K x 8 12ns 36-Pin SOJ Tray 制造商:Renesas 功能描述:SRAM Chip Async Single 5V 4M-Bit 512K x 8 12ns 36-Pin SOJ
R1RP0408DGE-2PI 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Wide Temperature Range Version 4M High Speed SRAM (512-kword × 8-bit)
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