參數(shù)資料
型號(hào)： R1LP0408CSB-5SI
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Wide Temperature Range Version 4 M SRAM (512-kword 】 8-bit)
中文描述： 寬溫版本四米的SRAM（512 - KWord的】8位）
文件頁數(shù)： 6/14頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： R1LP0408CSB-5SI
R1LP0408C-I Series
Rev.1.00, Aug.01.2003, page 6 of 13
DC Characteristics
Parameter
Symbol Min Typ
*
1
Max Unit Test conditions
Input leakage current
|I
LI
|
|I
LO
|
1
μ
A
μ
A
Vin = V
SS
to V
CC
CS# = V
IH
or OE# = V
IH
or
WE# = V
IL
or V
I/O
= V
SS
to V
CC
mA CS# = V
,
Others = V
IH
/ V
IL
, I
I/O
= 0 mA
mA Min. cycle, duty = 100%,
CS# = V
, Others = V
IH
/V
IL
I
I/O
= 0 mA
mA Cycle time = 1
μ
s,
duty = 100%,
I
I/O
= 0 mA, CS#
≤
0.2 V,
V
IH
≥
V
CC
0.2 V, V
IL
≤
0.2 V
mA CS# = V
IH
2
μ
A
Vin
≥
0 V, CS#
≥
V
CC
0.2 V
10*
Output leakage current
1
Operating current
I
CC
1.5
3
Average operating current
I
CC1
8
25
I
CC2
2
5
Standby current
I
SB
I
SB1
2.4
2.6
0.1
1.0*
0.5
Standby current
to +85
°
C
to +40
°
C
20
°
C to +25
°
C
20*
3
μ
A
I
SB1
2
10*
2
μ
A
μ
A
1.0*
3
3*
3
I
SB1
0.8*
2
10*
2
μ
A
μ
A
V
0.8*
3
3*
3
Output low voltage
V
OL
V
OH
V
OH2
0.4
I
OL
= 2.1 mA
I
OH
=
1.0 mA
I
OH
=
0.1 mA
Output high voltage
V
Notes: 1. Typical values are at V
CC
= 5.0 V, Ta = +25
°
C and specified loading, and not guaranteed.
2. L version. (
7LI)
3. SL version. (
5SI)
V
Capacitance
(Ta = +25
°
C, f = 1.0 MHz)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Note
Input capacitance
Cin
8
pF
Vin = 0 V
1
Input/output capacitance
Note: 1. This parameter is sampled and not 100% tested.
C
I/O
10
pF
V
I/O
= 0 V
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
R1LP0408CSB-7LI Standard Thick Film Chip Resistor: 10 ohms through 10 megohms, ??5 %, ??200 ppm, .100 W
R1LP0408CSC-5SI Wide Temperature Range Version 4 M SRAM (512-kword 】 8-bit)
R1LP0408CSC-7LI Wide Temperature Range Version 4 M SRAM (512-kword 】 8-bit)
R1LP0408CSP-5SI Wide Temperature Range Version 4 M SRAM (512-kword 】 8-bit)
R1LP0408CSP-7LI Wide Temperature Range Version 4 M SRAM (512-kword 】 8-bit)
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參數(shù)描述
R1LP0408CSB-5SI#B0 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM ASYNC SGL 5V 4MBIT 512KX8 55NS 32TSOP-II - Trays
R1LP0408CSB-5SI#D0 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM Chip Async Single 5V 4M-Bit 512K x 8 55ns 32-Pin TSOP-II Tray 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:4MB, I-TEMP, 512KX8, 55NS, TSOP(II), BULK - Trays 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Tray 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:R1LP0408C Series 4-Mbit (512 K x 8) 5 V 55 ns Advanced SRAM - TSOPII-32 制造商:Renesas 功能描述:SRAM Chip Async Single 5V 4M-Bit 512K x 8 55ns 32-Pin TSOP-II Tray
R1LP0408CSB-5SI#S0 功能描述:IC SRAM 4MBIT 55NS 32TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
R1LP0408CSB-5SIBT 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Memory,Low-pwr SRAM,4M bit,x8,
R1LP0408CSB-7LC 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:4M SRAM (512-kword 】 8-bit)
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