參數(shù)資料
型號: QVE11233
廠商: Fairchild Optoelectronics Group
文件頁數(shù): 2/3頁
文件大?。?/td> 2000K
描述: SENS OPTO SLOT 3.81MM TRANS THRU
產(chǎn)品目錄繪圖: QVE11233 Pin Out
QVE11233 Circuit
標準包裝: 50
檢測距離: 0.150"(3.81mm)
檢測方法: 可傳導的
輸出配置: 光電晶體管
電流 - DC 正向(If): 50mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大): 30V
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: PCB 安裝
包裝: 管件
類型: 無放大
工作溫度: -40°C ~ 85°C
產(chǎn)品目錄頁面: 2777 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: QVE11233QT
QVE11233QT-ND
 
?009 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
QVE11233 Rev. 1.0.1
2
 
Absolute Maximum Ratings
 
(T
 
A
 
= 25癈 unless otherwise specified)
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be
operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended.
In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability.
The absolute maximum ratings are stress ratings only.
 
Notes:
 
1. Derate power dissipation linearly, on each component, 1.67mW/癈 above 25癈.
2. RMA flux is recommended.
3. Methanol or isopropyl alcohols are recommended as cleaning agents.
4. Soldering iron tip 1/16 (1.6mm) from housing.
 
Electrical/Optical Characteristics
 
 (T
 
A
 
 = 25癈)
 
 
 
Symbol
Parameter
Rating
Units
 
T
 
OPR
 
Operating Temperature
-40 to +85
T
 
STG
 
Storage Temperature
-40 to +85
T
 
SOL-I
 
Soldering Temperature (Iron)
 
(2)(3)(4)
 
240 for 5 sec
T
 
SOL-F
 
Soldering Temperature (Flow)
 
(2)(4)
 
260 for 10 sec
 
INPUT (EMITTER)
 
I
 
F
 
Continuous Forward Current
50
mA
V
 
R
 
Reverse Voltage
6
V
P
 
D
 
Power Dissipation
 
(1)
 
100
mW
 
OUTPUT (SENSOR)
 
V
 
CEO
 
Collector to Emitter Voltage
30
V
V
 
ECO
 
Emitter to Collector Voltage
4.5
V
I
 
C
 
Collector Current
20
mA
P
 
D
 
Power Dissipation
 
(1)
 
150
mW
 
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.    Typ.   Max.   Units
 
INPUT (EMITTER)
 
V
 
F
 
Forward Voltage
I
 
F
 
 = 20mA
1.7
V
I
 
R
 
Reverse Leakage Current
V
 
R
 
 = 2V
100
礎(chǔ)
 
OUTPUT (SENSOR)
 
BV
 
ECO
 
Emitter to Collector Breakdown
I
 
E
 
 = 100礎(chǔ), E
 
e
 
 = 0
5.0
V
BV
 
CEO
 
Collector to Emitter Breakdown
I
 
C
 
 = 1mA, E
 
e
 
 = 0
30
V
I
 
CEO
 
Collector to Emitter Leakage
V
 
CE
 
 = 10V, E
 
e
 
 = 0
100
nA
 
COUPLED
 
I
 
C(ON)
 
On-State Collector Current
I
 
F
 
 = 20mA, V
 
CE
 
 = 5V
0.5
mA
V
 
CE (SAT)
 
Saturation Voltage
I
 
F
 
 = 20mA, I
 
C
 
 = 0.25mA
0.40
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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RPI-0128 PHOTOINTERRUPTER ULTRAMIN SMD
RPI-0129 SENSOR OPTO SLOT 1.2X0.7 MM SMD
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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QVEXAMP 制造商:Intel 功能描述:
QVL21653 功能描述:IC SWITCH IR OPTICAL SLOT 20MM RoHS:是 類別:傳感器,轉(zhuǎn)換器 >> 光學 - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標準包裝:100 系列:- 檢測距離:0.063"(1.6mm) 檢測方法:可傳導的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)(最大):20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):35V 響應(yīng)時間:35µs,35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5
QVL25335 功能描述:IC SWITCH IR OPTICAL SLOT 20MM RoHS:是 類別:傳感器,轉(zhuǎn)換器 >> 光學 - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標準包裝:100 系列:- 檢測距離:0.063"(1.6mm) 檢測方法:可傳導的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)(最大):20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):35V 響應(yīng)時間:35µs,35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5
QV-QL5064-456-RDK-BASIC 制造商:QuickLogic Corporation 功能描述: