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參數(shù)資料
| 型號： | QSB363C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | SUBMINIATURE PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封裝： | PLASTIC, T-3/4 PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 106K |
| 代理商： | QSB363C |
NOTES: (Applies to all package drawings)
1. Dimensions are in inches (mm).
2. Tolerance of ± .010 (.25) on all non nominal dimensions
unless otherwise specified.
FEATURES
Three lead forming options: Gull Wing, Yoke and Z-Bend
Compatible with automatic placement equipment
Supplied on tape and reel or in bulk packaging
Compatible with vapor phase reflow solder processes
YOKE LEAD CONFIGURATION
0.074 (1.9)
0.055 (1.4)
0.087 (2.2)
0.071 (1.8)
0.118 (3.0)
0.102 (2.6)
0.020 (0.5)
0.016 (0.4)
0.043 (1.1)
0.098 (2.5)
0.051 (1.3)
0.141 (3.6)
0.031 (0.8)
ANODE
0.008 (0.2)
0.283 (7.2)
Z-BEND LEAD CONFIGURATION
0.074 (1.9)
0.106 (2.7)
0.091 (2.3)
0.055 (1.4)
0.087 (2.2)
0.071 (1.8)
0.024 (0.6)
.118 (3.0)
.102 (2.6)
0.020 (0.5)
0.016 (0.4)
0.080 (2.0)
0.043 (1.1)
0.236 (6.0)
0.220 (5.6)
0.177 (4.5)
0.161 (4.1)
0.031 (0.8)
ANODE
0.127 (3.25)
0.112 (2.85)
GULL WING LEAD CONFIGURATION
0.074 (1.9)
0.106 (2.7)
0.091 (2.3)
0.055 (1.4)
0.087 (2.2)
0.071 (1.8)
0.024 (0.6)
.118 (3.0)
.102 (2.6)
0.166 (4.2)
0.020 (0.51)
0.016 (0.4)
0.078 (2.0)
0.043 (1.1)
0.005 (0.13)
ANODE
SUBMINIATURE PLASTIC SILICON
PHOTOTRANSISTOR
QSB363C
www.fairchildsemi.com
4 OF 5
8/2/01
DS300233
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSB363 | SUBMINIATURE PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR |
| QSBT40 | QUAD DATA LINE SCHOTTKY BUS TERMINATOR |
| QSBT40-7 | QUAD DATA LINE SCHOTTKY BUS TERMINATOR |
| QSC112 | PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR |
| QSC113 | PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| QSB363C_05 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Subminiature Plastic Silicon Infrared Phototransistor |
| QSB363CGR | 功能描述:光電晶體管 T-3/4 PHOTO SENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSB363CYR | 功能描述:光電晶體管 T-3/4 PHOTO SENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSB363CZR | 功能描述:光電晶體管 T-3/4 PHOTO SENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSB363GR | 功能描述:光電晶體管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
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