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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | QM30TB-24B |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 122 x 32 pixel format, Compact LCD size |
| 中文描述： | 中功率開關(guān)使用絕緣型 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/5頁(yè) |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | QM30TB-24B |
Feb.1999
2
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1
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0
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0
10
–3
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–2
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7
–1
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5
3
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1
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3
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3
2
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3
10
2
10
1
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2
10
10
7
5
4
3
2
0.4
10
7
5
4
3
2
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
T
j
=25°C
T
j
=125°C
1
10
7
5
4
3
2
10
7
5
4
3
3 4 5 7
0
10
2 3 4 5 7
1
10
3
2
2 3
t
s
t
f
T
j
=25°C
T
j
=125°C
V
CC
=600V
I
C
=30A
I
B1
=60mA
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
4
4
4
T
C
=25°C
NON–REPETITIVE
2
2
200μ
S
100μ
S
DC
1m
S
500μ
S
7
5
3
2
7
5
3
2
5
3
2
0.5
0.4
0.3
0.1
0
4
4
4
2 3 45 7
0.2
3
2
457
100
90
60
50
40
20
00
160
20
40
60
80 100 120 140
80
10
70
30
80
20
00
400
40
800
1200
200
600
1000
1400
50
30
10
I
B2
=2.5A
T
j
=125°C
70
60
COLLECTOR
DISSIPATION
SECOND
BREAKDOWN
AREA
SWITCHING TIME VS. BASE
CURRENT (TYPICAL)
REVERSE BIAS SAFE OPERATING AREA
S
t
s
,
f
μ
s
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
V
CE
(V)
BASE REVERSE CURRENT
–I
B2
(A)
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
DERATING FACTOR OF F. B. S. O. A.
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
V
CE
(V)
CASE TEMPERATURE
T
C
(
°
C)
REVERSE COLLECTOR CURRENT VS.
COLLECTOR-EMITTER REVERSE
VOLTAGE (DIODE FORWARD
CHARACTERISTICS) (TYPICAL)
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
CHARACTERISTIC (TRANSISTOR)
COLLECTOR-EMITTER REVERSE VOLTAGE
–V
CEO
(V)
TIME (s)
C
I
C
C
I
C
D
C
–
C
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM30TB-24B
MEDIUM POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
Z
t
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QM30TB-24 | 122 x 32 pixel format, Compact LCD size |
| QM30TB-2HB | 122 x 32 pixel format, Compact LCD size |
| QM30TB-2H | 122 x 32 pixel format, Compact LCD size |
| QM30TB24 | Power inductor, 20% tol, SMT, RoHS |
| QM30TB24B | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CEO | 30A I(C) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| QM30TB2H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CEO | 30A I(C) |
| QM30TB-2H | 制造商:n/a 功能描述:Darlington Module |
| QM30TB2HB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CEO | 30A I(C) |
| QM30TB-2HB | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM30TF-HB | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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