參數(shù)資料
型號： QK012NH556RP
元件分類： 晶閘管
英文描述： ALTERNISTOR TRIAC, TO-263AB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 891K
代理商： QK012NH556RP
100
Revised: November 1, 2010 05:04 PM
2010 Littelfuse, Inc
Teccor brand Thyristors
Specifications are subject to change without notice.
Please refer to http://www.littelfuse.com for current information.
12 Amp Alternistor (High Communitation) Triacs
Qxx12xHx Series
Electrical Characteristics (T
J = 25°C, unless otherwise specified) — Alternistor Triac (3 Quadrants)
Symbol
Test Conditions
Quadrant
Qxx12xH2
Qxx12xH5
Unit
I
GT
V
D = 12V RL = 60 Ω
I – II – III
MAX.
10
50
mA
V
GT
I – II – III
MAX.
1.3
V
GD
V
D = VDRM RL = 3.3 kΩ TJ = 125°C
I – II – III
MIN.
0.2
V
I
H
I
T = 100mA
MAX.
15
50
mA
dv/dt
V
D = VDRM Gate Open TJ = 125°C
400V
MIN.
300
750
V/μs
600V
200
650
800V
150
500
V
D = VDRM Gate Open TJ = 100°C
1000V
150
300
(dv/dt)c
(di/dt)c = 6.5 A/ms T
J = 125°C
MIN.
2
30
V/μs
t
gt
I
G = 2 x IGT
PW = 15μs I
T = 17.0 A(pk)
TYP.
4
μs
Absolute Maximum Ratings — Alternistor (3 Quadrants)
Symbol
Parameter
Value
Unit
I
T(RMS)
RMS on-state current (full sine wave)
Qxx12LHy
T
C = 90°C
12
A
Qxx12RHy
Qxx12NHy
T
C = 105°C
I
TSM
Non repetitive surge peak on-state current
(full cycle, T
J initial = 25°C)
f = 50 Hz
t = 20 ms
110
A
f = 60 Hz
t = 16.7 ms
120
I2t
I2t Value for fusing
t
p = 8.3 ms
60
A2s
di/dt
Critical rate of rise of on-state current
f = 120 Hz
T
J = 125°C
70
A/μs
I
GTM
Peak gate trigger current
t
p ≤ 10 μs;
I
GT ≤ IGTM
T
J = 125°C
2.0
A
P
G(AV)
Average gate power dissipation
T
J = 125°C
0.5
W
T
stg
Storage temperature range
-40 to 150
°C
T
J
Operating junction temperature range
-40 to 125
°C
Note: xx = voltage, y = sensitivity
Static Characteristics
Symbol
Test Conditions
Value
Unit
V
TM
I
TM = 17.0A tp = 380 s
MAX.
1.60
V
I
DRM
I
RRM
V
D = VDRM / VRRM
T
J = 25°C
400-1000V
MAX.
10
μA
T
J = 125°C
400-800V
2
mA
T
J = 100°C
1000V
3
Thermal Resistances
Symbol
Parameter
Value
Unit
R
θ(J-C)
Junction to case (AC)
Qxx12RHy
Qxx12NHy
1.2
°C/W
Qxx12LHy
2.3
R
θ(J-A)
Junction to ambient (AC)
Qxx12RHy
45
°C/W
Qxx12LHy
90
Note: xx = voltage, y = sensitivity
相關(guān)PDF資料
PDF描述
QK012NH556TP ALTERNISTOR TRIAC, TO-263AB
QK012NH556 ALTERNISTOR TRIAC, TO-263AB
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QK012RH556 ALTERNISTOR TRIAC, TO-220AB
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參數(shù)描述
QK012NH5RP 功能描述:雙向可控硅 1000V 12A 50-50-50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
QK012NH5TP 功能描述:雙向可控硅 1000V 12A 50-50-50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
QK012RH2 功能描述:雙向可控硅 Altnstr 1000V 12A 10-10-10 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
QK012RH5 功能描述:雙向可控硅 1000V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
QK015L5 功能描述:雙向可控硅 1000V 15A 50-50-50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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