參數(shù)資料
型號： QEB373.ZR
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 紅外LED
英文描述： 2 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm
封裝： PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 249K
代理商： QEB373.ZR
Q
2009 Fairchild Semiconductor Corporation
QEB373 Rev. 1.0.1
www.fairchildsemi.com
November 2009
QEB373
Subminiature Plastic Infrared Emitting Diode
Features
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T-3/4 (2mm) Surface Mount Package
Tape & Reel Option (See Tape & Reel Specifications)
Lead Form Options: Gullwing, Yoke, Z-Bend
Narrow Emission Angle, 24°
Wavelength = 880nm, AlGaAs
Clear Lens
Matched Photosensor: QSB363
High Radiant Intensity
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Package Dimensions
0.074 (1.9)
0.008 (0.21)
0.004 (0.11)
0.106 (2.7)
0.091 (2.3)
0.055 (1.4)
0.024 (0.6)
0.016 (0.4)
0.087 (2.2)
0.071 (1.8)
0.019 (0.5)
0.012 (0.3)
0.276 (7.0)
MIN
0.024 (0.6)
.059 (1.5)
.051 (1.3)
.118 (3.0)
.102 (2.6)
CATHODE
CATHODE
Notes:
1. Dimensions are in inches (mm).
2. Tolerance of ±.010 (.25) on all non nominal dimensions unless otherwise specified.
Schematic
相關(guān)PDF資料
PDF描述
QED122.A3R0 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm
QEE273 1.52 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 850 nm
QEODO69LQ41010MHZ OCXO, CLOCK, 10 MHz, HCMOS OUTPUT
QEODO75LQ21016.384MHZ OCXO, CLOCK, 16.384 MHz, HCMOS OUTPUT
QEODO75HN8108.192MHZ OCXO, CLOCK, 8.192 MHz, HCMOS OUTPUT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
QEB421 功能描述:紅外發(fā)射源 PLCC-2 ALGAAS LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk
QEB421_Q 功能描述:紅外發(fā)射源 PLCC-2 ALGAAS LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk
QEB421TF 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
QEB421TR 功能描述:紅外發(fā)射源 infrared LED SMD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk
QEB441 功能描述:LED INFA RED PLCC-2 PKG SMD RoHS:是 類別:光電元件 >> 紅外發(fā)射極 系列:- 標準包裝:1,200 系列:- 電流 - DC 正向(If):100mA 輻射強度(le)最小值@正向電流:27mW/sr @ 100mA 波長:940nm 正向電壓:1.6V 視角:40° 方向:頂視圖 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向 包裝:帶卷 (TR)
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