參數(shù)資料
型號(hào)： Q67100-Q608
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM
中文描述： 256畝× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的低功耗256畝× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
文件頁(yè)數(shù)： 26/53頁(yè)
文件大?。?/td> 418K
代理商： Q67100-Q608
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
25
5. Burst Write Operation
Extra data is ignored after
termination of a Burst.
DIN A3
T4
are registered on the same clock edge.
The first data element and the Write
NOP
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
T0
Command
DQ’s
CLK
DIN A1
T2
NOP
DIN A0
Write A
T1
DIN A2
NOP
T3
SPT03790
T6
NOP
NOP
T5
NOP
NOP
T7
NOP
T8
don’t care
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q67100-Q651 1M x 36-Bit Dynamic RAM Module (2M x 18-Bit Dynamic RAM Module)
Q67100-Q727 256k x 16-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q741 1M x 36-Bit Dynamic RAM Module (2M x 18-Bit Dynamic RAM Module)
Q67100-Q749 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-H3500 16 Kbit 2048 x 8 bit Serial CMOS EEPROMs, I2C Synchronous 2-Wire Bus
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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Q67100-Q727 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256k x 16-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q741 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 36-Bit Dynamic RAM Module (2M x 18-Bit Dynamic RAM Module)
Q67100-Q749 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q750 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM
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