參數(shù)資料
型號(hào)： Q67100-Q2366
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module
中文描述： 4米× 36位EDO公司-記憶體模組
文件頁(yè)數(shù)： 8/53頁(yè)
文件大小： 418K
代理商： Q67100-Q2366
HYB 39S64400/800/160BT(L)
64-MBit Synchronous DRAM
Data Book
8
12.99
DQM
LDQM
UDQM
Input
Pulse
Active
High
The Data Input/Output mask places the DQ buffers in a
high impedance state when sampled high. In Read mode,
DQM has a latency of two clock cycles and controls the
output buffers like an output enable. In Write mode, DQM
has a latency of zero and operates as a word mask by
allowing input data to be written if it is low but blocks the
write operation if DQM is high.
One DQM input it present in
×
4 and
×
8 SDRAMs, LDQM
and UDQM controls the lower and upper bytes in
×
16
SDRAMs.
V
DD
V
SS
Supply
–
–
Power and ground for the input buffers and the core logic.
V
DDQ
V
SSQ
Supply –
–
Isolated power supply and ground for the output buffers to
provide improved noise immunity.
V
REF
Input
Level
–
Reference voltage for SDRAM versions supporting SSTL
interface
Signal Pin Description
(cont’d)
Pin
Type
Signal Polarity Function
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q67100-Q2367 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module
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Q67100-Q519 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q526 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q527 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
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參數(shù)描述
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