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參數(shù)資料
| 型號： | Q67060-S6501-A2 |
| 英文描述： | TRANSISTOR HITFET |
| 中文描述： | 晶體管HITFET |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 138K |
| 代理商： | Q67060-S6501-A2 |
13.07.1998
Semiconductor Group
Page 6
BTS 117
On-state resistance
R
ON
= f(T
j
);
I
D
=3.5A; V
IN
=10V
-50
-25
0
25
50
75
100
°C
150
T
j
0
25
50
75
100
125
200
R
DS(on)
typ.
max.
Maximum allowable power dissipation
P
tot
= f(T
c
)
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
150
0
5
10
15
20
25
30
35
40
W
50
BTS 117
P
tot
On-state resistance
R
ON
= f(T
j
);
I
D
= 3.5A; V
IN
=5V
-50
-25
0
25
50
75
100
°C
150
T
j
0
25
50
75
100
125
150
175
200
250
R
DS(on)
typ.
max.
Typ. input threshold voltage
V
IN(th)
= f(T
j
);
I
D
=0.7A; V
DS
=12V
-50
-25
0
25
50
75
100
°C
150
T
j
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
2.0
V
IN(th)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67060-S7003-A2 | TRANSISTOR SMD PROFET LESITUNGS MOSFET |
| Q67060-S7007A2 | TRANSISTOR SMD PROFET LESITUNGS MOSFET |
| Q67060-S6502-A2 | Smart Lowside Power Switch |
| Q67060-S6502-A3 | Smart Lowside Power Switch |
| Q67060-S6503-A2 | Smart Lowside Power Switch |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67060-S6502-A2 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Smart Lowside Power Switch |
| Q67060-S6502-A3 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Smart Lowside Power Switch |
| Q67060-S6503-A2 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Smart Lowside Power Switch |
| Q67060-S6503-A3 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Smart Lowside Power Switch |
| Q67060-S6504-A5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:HITFET II.Generation BTS 134 D |
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