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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q62703-Q2407 |
| 英文描述： | IR EMITTER SMD Inhalt pro Packung: 10 Stk. |
| 中文描述： | 紅外線發(fā)射器貼片Inhalt親Packung：10沙頭角。 |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 58K |
| 代理商： | Q62703-Q2407 |
Semiconductor Group
3
Dec-12-1996
BFP 182W
Electrical Characteristics at
TA = 25°C, unless otherwise specified.
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
AC Characteristics
Transition frequency
IC = 15 mA, VCE = 8 V, f = 500 MHz
fT
6
8
-
GHz
Collector-base capacitance
VCB = 10 V, f = 1 MHz
Ccb
-
0.3
0.45
pF
Collector-emitter capacitance
VCE = 10 V, f = 1 MHz
Cce
-
0.27
-
Emitter-base capacitance
VEB = 0.5 V, f = 1 MHz
Ceb
-
0.6
-
Noise figure
IC = 3 mA, VCE = 8 V, ZS = ZSopt
f = 900 MHz
f = 1.8 GHz
F
-
1.9
1.2
-
dB
Power gain
1)
IC = 10 mA, VCE = 8 V, f = 900 MHz
ZS = ZSopt, ZL = ZLopt
Gms
-
21.5
-
Power gain
2)
IC = 10 mA, VCE = 8 V, f = 1.8 GHz
ZS = ZSopt, ZL = ZLopt
Gma
-
15.5
-
Transducer gain
IC = 10 mA, VCE = 8 V, ZS =ZL= 50
f = 900 MHz
f = 1.8 GHz
|
S21e|2
-
12
17.5
-
1)
Gms = |S21/S12|
2)
Gma = |S21/S12| (k-(k2-1)1/2)
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