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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q62703-Q1038 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | SOT-23 MULTILED, Diffused |
| 中文描述： | 采用SOT - 23來(lái)料加工，漫射 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 552K |
| 代理商： | Q62703-Q1038 |
Semiconductor Group
3
Grenzwerte
2)
Maximum Ratings
2)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS, LO, LG
LP
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
– 55 ... + 100
– 55 ... + 100
C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
– 55 ... + 100
– 55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100
+ 100
C
Durchlastrom
Forward current
I
F
40
30
mA
Stostrom
Surge current
t
≤
10
μ
s, D = 0.005
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
≤
25
°
C
Wrmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
I
FM
0.5
0.5
A
P
tot
140
100
mW
R
th JA
400
400
K/W
2)
Die angegebenen Grenzdaten gelten für den Chip, für den sie angegeben sind, unabhngig vom
Betriebszustand des anderen.
2)
The stated maximum ratings refer to the specified chip regardless of the other one’s operating status.
LSG K370, LSP K370, LOP K370, LOG K370
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62703-Q1088 | GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters 880 nm |
| Q62703-Q1089 | GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters 880 nm |
| Q62703-Q1090 | GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter |
| Q62703-Q1092 | GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters 880 nm |
| Q62703-Q1093 | GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters 880 nm |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| Q62703Q1092 | 制造商:OSRAM 功能描述:LED IRLED 880NM 2PIN T-1 3/4 - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:EMITTER IR 880NM CLEAR 5MM |
| Q62703Q1093 | 制造商:OSRAM 功能描述:LED IRLED 880NM 2PIN T-1 3/4 - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:EMITTER IR 880NM CLEAR 5MM |
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