參數(shù)資料
型號(hào)： Q62702F1573
英文描述： TRANSISTOR R.F SOT363
中文描述： 晶體管射頻SOT363封裝
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 58K
代理商： Q62702F1573
Semiconductor Group
2
Dec-12-1996
BFP 182W
Electrical Characteristics at
TA = 25°C, unless otherwise specified.
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
DC Characteristics
Collector-emitter breakdown voltage
IC = 1 mA, IB = 0
V(BR)CEO
12
-
V
Collector-emitter cutoff current
VCE = 20 V, VBE = 0
ICES
-
100
A
Collector-base cutoff current
VCB = 10 V, IE = 0
ICBO
-
100
nA
Emitter-base cutoff current
VEB = 1 V, IC = 0
IEBO
-
1
A
DC current gain
IC = 10 mA, VCE = 8 V
hFE
50
100
200
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q62702F1574 TRANSISTOR R.F SOT363
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參數(shù)描述
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Q62702F1574 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR R.F SOT363
Q62702-F1574 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF Transistor (For low-noise, high-gain broadband amplifier at colector current from 2mA to 28mA)
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Q62702-F1575 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF Transistor (For power amplifier in DECT and PCN systems)
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