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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q62702-P3001 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 1300 nm Laser in Receptacle Package, Medium Power |
| 中文描述： | 1300 nm激光在插孔包，中功率 |
| 文件頁數(shù)： | 5/11頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-P3001 |
BGC420
High Frequency Products
5
Edition A13, 05/99
Typical Application
Remarks:
1)
2)
3)
4)
To provide low frequency stability C2 should be 10 times C3.
Be aware that also coupling capacitors determine the switching times.
The collector current at Q1 can be estimated by Ic=0.6V / Rx[
W
].
Place C2 as close to the device as possible.
D1
D2
R1 (47k)
Q2
R2 (500R)
R3
10k
R4 (2k7)
Q1
Vc,8
Vb,3
GND,7,2
RFin,1
RFout,6
Vr,5
Vcc,4
on
off
C2, 1nF
L1,100nH
C3, 100pF
Rx
3
C4,150pF C5,100nF
Figure 1. Typical Application and Internal Circuit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-P3002 | 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power |
| Q62702-P3004 | 1300 nm Laser in Receptacle Package, Low Power |
| Q62702-P3009 | IRED in TO-Package |
| Q62702-P3010 | Ternary PIN Photodiode in TO-Package with Integrated Optics |
| Q62702-P3018 | Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q62702P3558 | 制造商:OSRAM 功能描述:LASER DIODE QW-LD 860NM 3PIN - Bulk |
| Q62702P3577 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 850NM 3PIN TO-18 - Bulk |
| Q62702P3578 | 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 880NM 3PIN TO-18 - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 880NM TO-18 |
| Q62702P3581 | 功能描述:光電晶體管 RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| Q62702P3582 | 制造商:OSRAM 功能描述:Phototransistor Chip Silicon 880nm 3-Pin TO-18 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON NPN TRANSISTOR 880NM 3PIN TO-18 - Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 880NM TO-18 |
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