參數(shù)資料
型號(hào)： Q62702-P1192
廠商： SIEMENS AG
英文描述： NPN-Silizium-Fototransistor NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter
中文描述： 叩- Silizium - Fototransistor東北大學(xué)：叩- Silizium - Fototransistor麻省理工Tageslichtsperrfilter
文件頁(yè)數(shù)： 5/11頁(yè)
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代理商： Q62702-P1192
BGC420
High Frequency Products
5
Edition A13, 05/99
Typical Application
Remarks:
1)
2)
3)
4)
To provide low frequency stability C2 should be 10 times C3.
Be aware that also coupling capacitors determine the switching times.
The collector current at Q1 can be estimated by Ic=0.6V / Rx[
W
].
Place C2 as close to the device as possible.
D1
D2
R1 (47k)
Q2
R2 (500R)
R3
10k
R4 (2k7)
Q1
Vc,8
Vb,3
GND,7,2
RFin,1
RFout,6
Vr,5
Vcc,4
on
off
C2, 1nF
L1,100nH
C3, 100pF
Rx
3
C4,150pF C5,100nF
Figure 1. Typical Application and Internal Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q62702-P1193 .NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
Q62702-P1196 IR-EMPFANGER/DEMODULATOR-BAUSTEIN, IR-RECEIVER/DEMODULATOR DEVICE
Q62702-P1197 IR-EMPFANGER/DEMODULATOR-BAUSTEIN, IR-RECEIVER/DEMODULATOR DEVICE
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Q62702-P1199 IR-EMPFANGER/DEMODULATOR-BAUSTEIN, IR-RECEIVER/DEMODULATOR DEVICE
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參數(shù)描述
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