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參數(shù)資料
| 型號： | Q62702-F201 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | NPN Silicon RF Transisrors |
| 中文描述： | NPN硅射頻Transisrors |
| 文件頁數(shù)： | 4/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | Q62702-F201 |
BGC420
High Frequency Products
4
Edition A13, 05/99
Icc
mA
Vcc
V
Device Current
versus Rx and Temperature
Vcc=3V
6
5
4
3
2
1
0
7
8
1
2
3
Device Current
versus Voltage at Vc
Vcc=3V; Rx=82
W
mA
Icc
Rx
V
Vc
V
W
R x=56
R x=82
R x=120
R x=68 0
3
12
10
8
6
4
2
0
1
2
4
14
16
R x=33
Device Current
versus Device Voltage
=
-40°C
= +27
°C
= +85
°C
14
6
4
2
0
12
10
8
50
250
450
650
Icc
mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-F202 | NPN Silicon RF Transisrors |
| Q62702-A1198 | Silicon Schottky Diode (Low barrier diode for detectors up to GHz frequencies) |
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| Q62702-A1201 | NPN Silicon Switching Transistor Array |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| Q62702-F236 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:N-Channel junction field-Effect Transistors |
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