參數(shù)資料
型號： Q62702-D283
廠商： SIEMENS AG
英文描述： PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS
中文描述： 進步黨硅EPIBASE三極管
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大?。?/td> 101K
代理商： Q62702-D283
BGC420
High Frequency Products
4
Edition A13, 05/99
Icc
mA
Vcc
V
Device Current
versus Rx and Temperature
Vcc=3V
6
5
4
3
2
1
0
7
8
1
2
3
Device Current
versus Voltage at Vc
Vcc=3V; Rx=82
W
mA
Icc
Rx
V
Vc
V
W
R x=56
R x=82
R x=120
R x=68 0
3
12
10
8
6
4
2
0
1
2
4
14
16
R x=33
Device Current
versus Device Voltage
=
-40°C
= +27
°C
= +85
°C
14
6
4
2
0
12
10
8
50
250
450
650
Icc
mA
相關PDF資料
PDF描述
Q62702-D284 NPN SILICON EPIBASE TRANSISTORS
Q62702-D285 NPN SILICON EPIBASE TRANSISTORS
Q62702-D325 NPN SILICON EPIBASE TRANSISTORS
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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Q62702-D285 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS
Q62702-D325 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN SILICON EPIBASE TRANSISTORS
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Q62702-D3429 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Schottky Diodes (Low barrier diodes For mixer applications Hermetically sealed ceramic packages For frequencies up to 40 GHz)
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