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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q62702-C1507 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage) |
| 中文描述： | 自動(dòng)對(duì)焦進(jìn)步黨硅晶體管（為自動(dòng)輸入級(jí)和驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用高電流增益低集電極發(fā)射極飽和電壓） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/11頁(yè) |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | Q62702-C1507 |
BGC420
High Frequency Products
4
Edition A13, 05/99
Icc
mA
Vcc
V
Device Current
versus Rx and Temperature
Vcc=3V
6
5
4
3
2
1
0
7
8
1
2
3
Device Current
versus Voltage at Vc
Vcc=3V; Rx=82
W
mA
Icc
Rx
V
Vc
V
W
R x=56
R x=82
R x=120
R x=68 0
3
12
10
8
6
4
2
0
1
2
4
14
16
R x=33
Device Current
versus Device Voltage
=
-40°C
= +27
°C
= +85
°C
14
6
4
2
0
12
10
8
50
250
450
650
Icc
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62702-C151 | PNP SILICON TRANSISTOR |
| Q62702-C1516 | NPN Silicon AF Transistors (For general AF applications High current gain) |
| Q62702-C1635 | NPN Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current) |
| Q62702-C1654 | PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain) |
| Q62702-C1659 | NPN Silicon AF and Switching Transistor (High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q62702-C151 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON TRANSISTOR |
| Q62702-C1516 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon AF Transistors (For general AF applications High current gain) |
| Q62702-C1517 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain) |
| Q62702-C1526 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon AF Transistors (For general AF applications High current gain) |
| Q62702-C1529 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain) |
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