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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q627002G0078 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | GaAs MMIC (Tri mode power amplifier for AMPS/ CDMA /TDMA portable cellular phones) |
| 中文描述： | 砷化鎵微波單片集成電路（三模式用于AMPS功率放大器/碼分多址/ TDMA的便攜式移動(dòng)電話） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 247K |
| 代理商： | Q627002G0078 |
CGY 81
Siemens Aktiengesellschaft
Semiconductor Group
6
6
23.07.98
HL HF PE GaAs 1/Fo
Typical Performance in AMPS Operation Mode
AMPS Mode: TG & Id vs. Pin
Vd=3,5V, Iq=300mA, f=836,5 MHz, T=25°C
0
10
20
30
40
50
60
-15 -13 -11
-9
-7
-5
-3
-1
1
3
5
7
Pin [dBm]
T
0
150
300
450
600
750
900
I
TG [dB]
Id [mA]
AMPS Mode: PAE & Pout vs. Pin
Vd=3,5V, Iq=300mA, f=836,5 MHz, T=25°C
0
5
10
15
20
25
30
35
-15 -13 -11
-9
-7
-5
-3
-1
1
3
5
7
Pin [dBm]
P
0.00
10.00
20.00
30.00
40.00
50.00
60.00
70.00
P
Pout [dBm]
PAE [%]
AMPS Mode: Pout vs. Vd
Iq=300mA, f=836,5 MHz, Pin=8dBm, T=25°C
30
31
32
33
34
3
3.2
3.4
3.6
3.8
4
Vd [V]
P
AMPS Mode: PAE vs. Vd
Iq=300mA, f=836,5 MHz, Pin=8dBm, T=25°C
52
54
56
58
3
3.2
3.4
3.6
3.8
4
Vd [V]
P
AMPS Mode: Pout vs. f
Iq=300mA, Vd=3.5V, Pin=8dBm, T=25°C
31
31.2
31.4
31.6
31.8
32
32.2
32.4
32.6
32.8
33
820
825
830
835
840
845
850
f [MHz]
P
AMPS Mode: PAE vs. f
Iq=300mA, Vd=3.5V, Pin=8dBm, T=25°C
52
53
54
55
56
57
58
820
825
830
835
840
845
850
f [MHz]
P
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q62701-F51 | PNP GERMANIUM RF TRANSISTOR |
| Q62701-F72 | PNP GERMANIUM RF TRANSISTOR |
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| Q62701-F88 | PNP GERMANIUM RHF TRANSISTOR |
| Q62702-B0905 | Silicon Variable Capacitance Diode (For VHF TV-tuners High capacitance ratio Low series inductance) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q62701-F51 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP GERMANIUM RF TRANSISTOR |
| Q62701-F72 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP GERMANIUM RF TRANSISTOR |
| Q62701-F88 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP GERMANIUM RHF TRANSISTOR |
| Q62701-F92 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP GERMANIUM UHF TRANSISTOR |
| Q62702A | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
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