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參數(shù)資料
| 型號： | Q60215-Y111-S4 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell |
| 中文描述： | Silizium - Fotoelement硅光伏電池 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 185K |
| 代理商： | Q60215-Y111-S4 |
BPY 11 P
Semiconductor Group
183
Wesentliche Merkmale
G
Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1060 nm
G
Kathode = Chipunterseite
G
Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht
überzogen
G
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
G
für Me
β
-, Steuer- und Regelzwecke
G
zur Abtastung von Lichtimpulsen
G
quantitative Lichtmessung im sichtbaren
Licht- und nahen Infrarotbereich
Features
G
Especially suitable for applications from
420 nm to 1060 nm
G
Cathode = back contact
G
Coated with a humidity-proof protective
layer
G
Binned by spectral sensitivity
Applications
G
For control and drive circuits
G
Light pulse scanning
G
Quantitative light measurements in the
visible light and near infrared range
Typ
Type
BPY 11 P IV
Bestellnummer
Ordering Code
Q60215-Y111-S4
BPY 11 P V
Q60215-Y111-S5
Silizium-Fotoelement
Silicon Photovoltaic Cell
BPY 11 P
Ma
β
e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
f
10.95
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q60215-Y111-S5 | Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q60215-Y111-S5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell |
| Q60215-Y62 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
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